特許
J-GLOBAL ID：200903092942114645
固体撮像装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
最上 健治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-145473
公開番号（公開出願番号）：特開平6-334162
出願日： 1993年05月26日
公開日（公表日）： 1994年12月02日
要約：
【要約】【目的】 有効画素部と遮光画素部とを備えた固体撮像装置において、有効画素部と遮光画素部の暗電流が揃い、それぞれの暗電流の経時変化の過程が同一となるようにした製造方法を提供する。【構成】 Siウェハー1上にSiO2 絶縁膜2を形成し、遮光画素部に遮光Al膜3を形成したのち、画素がパターン化されている主面とは反対側のSiウェハー1の裏面に、水素含有膜5を形成する。次いで、ウェハーを450 °C程度の熱処理を施し、水素含有膜5より水素をSiウェハー1に放出し、Si/SiO2 界面に到達させる。Si/SiO2 界面に到達した水素は、ダングリングボンド4をターミネートした状態となり、これにより界面準位密度が減少し、暗電流が低減した固体撮像装置が得られる。
請求項（抜粋）：
光信号を検出する有効画素部と暗時基準信号を得るための遮光画素部を備えた固体撮像装置の製造方法において、ウェハーの画素がパターン化されている主面とは反対側の裏面に水素含有膜を形成する工程と、該工程の後に熱処理を施す工程とを有することを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 27/146
, G09F 9/00 315
, G01J 1/02
