特許

J-GLOBAL ID：200903092943192453

制御された無電解メッキ

発明者： プラシツト・スリシヤロンチエイキツト ,  ゲイリイ・エス・カラブレス ,  マイケル・ギユラ
出願人/特許権者： シツプリイ・カンパニイ・インコーポレイテツド
代理人 (1件)： 川口 義雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-189996
公開番号（公開出願番号）：特開平5-202484
出願日： 1992年06月24日
公開日（公表日）： 1993年08月10日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 金属薄膜を微細な特徴のパターンで制御した速度で無電解メッキ法によりメッキするのに適する組成物及び方法を提供する。【構成】 金属イオン源,該金属イオンの錯化剤,触媒表面の存在下で該金属イオンを金属の形態に還元できる還元剤及びpH調整剤を含み,該金属イオンを1lあたり0.020モルを超えない濃度で存在させ,溶液成分をメッキ速度かほぼ室温に保たれた溶液から1分あたり100オングストロームを超えないような濃度で溶液中に存在させる。

請求項（抜粋）：

金属イオン源、該金属イオンの錯化剤、触媒表面の存在下で該金属イオンを金属の形態に還元できる還元剤及びpH調整剤を含み、該金属イオンを1lあたり0.020モルを超えない濃度で存在させ、溶液成分をメッキ速度がほぼ室温に保たれた溶液から1分あたり100オングストロームを超えないような濃度で溶液中に存在させることを特徴とする無電解金属メッキ水溶液。

IPC (4件)：

C23C 18/31 ,  C23C 18/20 ,  C23C 18/34 ,  H05K 3/18

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開昭63-020486