特許

J-GLOBAL ID：200903092944497843

半導体結晶の成長方法及びMOS型トランジスタの作製方法

発明者： 山本 博士
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 山本 孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-314263
公開番号（公開出願番号）：特開平6-151305
出願日： 1992年10月30日
公開日（公表日）： 1994年05月31日
要約：

【要約】【目的】より結晶欠陥を少なくすることができ、均一に結晶成長させ得る半導体結晶の成長方法を提供する。【構成】半導体結晶の成長方法は、非晶質シリコン層16を絶縁基板10上に形成し、非晶質シリコン層16から結晶粒22を形成する。そして、分離された1つの非晶質シリコン層の領域16A内に、1カ所にのみ核成長の種となる核成長領域18を形成することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

非晶質シリコン層を絶縁基板上に形成し、該非晶質シリコン層から結晶粒を形成する半導体結晶の成長方法であって、分離された1つの非晶質シリコン層の領域内に、1カ所にのみ核成長の種となる核成長領域を形成することを特徴とする半導体結晶の成長方法。

IPC (4件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/784

FI (3件)：

H01L 21/265 Q ,  H01L 21/265 P ,  H01L 29/78 311 Y