特許
J-GLOBAL ID：200903092945575520
ドライエッチング装置およびドライエッチング方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-218442
公開番号（公開出願番号）：特開平10-064886
出願日： 1996年08月20日
公開日（公表日）： 1998年03月06日
要約：
【要約】【課題】 プラズマによって、チャンバに設けられた窓から生じる生成物が被エッチング体に堆積する量を制御し、エッチング時の形状制御を精度良く行えるようにする。【解決手段】 酸化シリコン系材料からなる例えば石英窓14を有するチャンバ10内にプラズマを生成して、チャンバ10内に置かれる被エッチング体であるウエハ40をエッチングするドライエッチング装置1であって、チャンバ10内に置かれるウエハ40の近傍に設けられたもので、プラズマによって窓から生成される生成物を堆積させるための補助電極15と、チャンバ10に設けられたもので、補助電極15に堆積された堆積物の厚さを測定する膜厚測定手段16とを備える。また膜厚測定手段16が測定した堆積物の厚さに基づき、その後に堆積される堆積物の厚さを調整するフィードバック手段20を備える。
請求項（抜粋）：
酸化シリコン系材料からなる窓を有するチャンバ内にプラズマを生成して、該チャンバ内に置かれる被エッチング体をエッチングするドライエッチング装置において、前記チャンバ内に置かれる被エッチング体の近傍に設けられたもので、前記プラズマによって前記窓から生成される生成物を堆積させるための補助電極と、前記チャンバに設けられたもので、前記補助電極に堆積された堆積物の厚さを測定する膜厚測定手段とを備えていることを特徴とするドライエッチング装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/302 B
, C23F 4/00 A
