特許
J-GLOBAL ID：200903092949582776
半導体レーザの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-330332
公開番号（公開出願番号）：特開平7-193321
出願日： 1993年12月27日
公開日（公表日）： 1995年07月28日
要約：
【要約】【目的】半導体レーザの素子製造時の熱工程において、不純物が活性層内部に到達することを防止する。【構成】InGaAsP活性層8の上部のP-InPクラッド層6をMOVPE法で成長する時に、不純物ガスの流量もしくは濃度を活性層に近い側は流量を少なくもしくは濃度を低くし、活性層から遠ざかる程、流量を多くもしくは濃度を高くする。こうしてP-InPクラッド層内の不純物濃度は、活性層側は低く、そこから遠ざかるにしたがって低くなるように構成される。
請求項（抜粋）：
InP化合物半導体からなるP型及びN型クラッド層とノンドープのInGaAsあるいはInGaAsP系の活性層もしくは多重量子井戸からなる活性層を有する半導体レーザの製造方法において、結晶の成長時に、前記P型クラッド層の不純物を前記活性層近傍では低濃度とし、前記活性層から遠ざかる程高濃度となるように導入して、前記活性層への不純物の拡散を制御するようにしたことを特徴とする半導体レーザの製造方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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