特許

J-GLOBAL ID：200903092951154986

液晶表示装置およびその製造方法

発明者： 鈴木 光明
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 大胡 典夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-130070
公開番号（公開出願番号）：特開平11-330474
出願日： 1998年05月13日
公開日（公表日）： 1999年11月30日
要約：

【要約】【課題】 液晶セルの製造工程の透明電極11のスパッタ成膜によるゲート絶縁膜5のダメージを抑制してトランジスタ特性の信頼性を向上させた液晶表示装置を得る。【解決手段】 ガラス基板1上に形成した多結晶シリコン薄膜電界効果トランジスタのチャネル領域8に隣接するゲート絶縁膜5をシリコン酸化膜で形成し、膜中のフッ素濃度を2×1019cm-3以上にする。膜中へのフッ素の導入を、予めゲート絶縁膜を形成するCVDチャンバのクリーニングのためのNF3 ガス放電で行った後の残留フッ素で行う。

請求項（抜粋）：

少なくともガラス基板と、このガラス基板上に形成され電界効果トランジスタを構成する少なくとも多結晶シリコンからなるチャネル領域と,このチャネル領域を挟んで配置されるソース・ドレイン領域と,前記チャネル領域に隣接して形成されるゲート絶縁膜と,このゲート絶縁膜に接して設けられるゲート電極とからなる多結晶シリコン薄膜トランジスタとを具備する液晶表示装置において、前記ゲート絶縁膜はシリコン酸化膜からなり、膜中のフッ素濃度が2×1019cm-3以上であることを特徴とする液晶表示装置。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 29/78 617 T ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 617 V