特許

J-GLOBAL ID：200903092958130969

光電極、その製造方法、及び光電変換デバイス

発明者： 大下 浄治 ,  播磨 裕 ,  柿本 正也
出願人/特許権者： 国立大学法人広島大学 ,  住友電気工業株式会社
代理人 (2件)： 上代 哲司 ,  神野 直美
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-059923
公開番号（公開出願番号）：特開2008-226528
出願日： 2007年03月09日
公開日（公表日）： 2008年09月25日
要約：

【課題】透明導電膜が設けられた透明基板、及び増感色素が担持された多孔性半導体層からなる光電極であって、多孔性半導体層を構成する酸化物半導体と化学結合して優れたエネルギー変換効率を与えるとともに、この化学結合の際に水等の副生成物を発生しない増感色素を用いた光電極、その製造方法、及びこの光電極を用いた光電変換デバイスを提供する。【解決手段】多孔性半導体層が、分子内に-Si-Si-結合を有しかつ400〜1500nmの範囲内に吸収を有するポリ(ジシラニレンオリゴチエニレン)色素化合物を、多孔性の酸化物半導体層に担持させたものである。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

透明基板、この透明基板上に設けられた透明導電膜、及びこの透明導電膜上に設けられた多孔性半導体層からなり、この多孔性半導体層が、分子内に-Si-Si-結合を有しかつ400〜1500nmの範囲内に吸収を有する色素化合物を、多孔性の酸化物半導体に担持させたものであることを特徴とする光電極。

IPC (2件)：

H01M 14/00 ,  H01L 31/04

FI (2件)：

H01M14/00 P ,  H01L31/04 Z

Fターム (22件)：

5F051AA11 ,  5F051AA14 ,  5F051BA11 ,  5F051CB11 ,  5F051CB12 ,  5F051CB13 ,  5F051CB14 ,  5F051CB15 ,  5F051CB25 ,  5F051FA02 ,  5F051FA04 ,  5F051FA06 ,  5F051GA03 ,  5F051GA16 ,  5H032AA06 ,  5H032AS09 ,  5H032AS16 ,  5H032BB05 ,  5H032BB07 ,  5H032EE02 ,  5H032EE16 ,  5H032HH07

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 光電変換素子および光電変換素子用の光増感色素
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-069281   出願人：株式会社東芝