特許
J-GLOBAL ID：200903092961208197
薄膜形成装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
河野 登夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-011183
公開番号（公開出願番号）：特開2000-212751
出願日： 1999年01月19日
公開日（公表日）： 2000年08月02日
要約：
【要約】【課題】 ガスイオン源の寿命を長くすることができる薄膜形成装置の提供。【解決手段】 真空槽1内に配置され薄膜を形成すべき基材Pを保持する保持部材3と、保持部材3に対向する開口部を有する加速電極15と、加速電極15内に配置され、加速電極15の開口部に対向する開口部を有する反応ガス導入室11と、加速電極15及び反応ガス導入室11の間を絶縁し、加速電極15内に反応ガス導入室11を固定する絶縁部材16と、反応ガス導入室11内に配置された電子発生部12,13と、加速電極15のガス導入口15bに嵌合されて反応ガスを供給する第1ガス導入管14と、加速電極15及び反応ガス導入室11のガス導入口15b,11dの間を気密に連結し、反応ガス導入管14から供給された反応ガスを反応ガス導入室11へ供給する絶縁材料製の第2ガス導入管17とを備えた構成である。
請求項（抜粋）：
内部を高真空に保つ真空槽と、該真空槽内に配置され、薄膜を形成すべき基材を保持する保持部材と、ガス導入口及び開口部を有し、該開口部が保持部材に対向する容器状の電極と、該電極内に配置され、ガス導入口及び開口部を有し、該開口部が前記電極の開口部に対向する反応ガス導入室と、前記電極及び反応ガス導入室の間を絶縁し、前記電極内に反応ガス導入室を固定する絶縁部材と、反応ガス導入室内に配置された電子発生部と、前記電極のガス導入口に嵌合されてガスを供給する第1ガス導入管と、前記電極及び反応ガス導入室のガス導入口の間を気密に連結し、第1ガス導入管から供給されたガスを反応ガス導入室へ供給する絶縁材料製の第2ガス導入管とを備えることを特徴とする薄膜形成装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C23C 16/44 D
, C23C 14/32 E
4K029CA04
, 4K029DA02
, 4K029DA04
, 4K029DE02
, 4K030AA09
, 4K030BA28
, 4K030DA03
, 4K030KA05
, 4K030KA20
, 4K030KA28
