特許
J-GLOBAL ID：200903092963749357
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
諸田 英二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-260699
公開番号（公開出願番号）：特開平6-084995
出願日： 1992年09月03日
公開日（公表日）： 1994年03月25日
要約：
【要約】【目的】半導体基板上に絶縁膜を介して形成される複数の導電層を積層して成る積層電極と、該積層電極と電気的接触をする電極引き出し用導電体(例えばボンディングワイヤ等)とを有する半導体装置(例えばMOSFETのゲート電極)において、積層電極を構成している導電層の間に、何らかの不純物(例えば金属酸化物)が存在していても、高周波特性に悪影響を与えない半導体装置を提供する。【構成】積層電極と電極引き出し用導電体とが接触している部分において、積層電極の各導電層を、それぞれの導電層が露出するように順次除去し、電極引き出し用導電体が各導電層の露出面に接触する構造とし、各導電層間に不純物が存在していても、これに影響されないで、各導電層に信号電流が流れるようにする。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に絶縁膜を介して形成される複数の導電層を積層して成る積層電極と、該積層電極と電気的接触をする電極引き出し用導電体とを有する半導体装置において、積層電極と電極引き出し用導電体が前記接触している部分において、積層電極を構成する少なくとも 2つの導電層と電極引き出し用導電体とが接触していることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/60 301
, H01L 21/60
, H01L 21/3205
