特許
J-GLOBAL ID：200903092969075773
半導体集積回路の洗浄方法及びその洗浄装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-211238
公開番号（公開出願番号）：特開平5-200230
出願日： 1987年06月05日
公開日（公表日）： 1993年08月10日
要約：
【要約】【目的】部留りの少ないあるいは高集積度の半導体集積回路の洗浄方法又は洗浄装置を提供する。【構成】原水を蒸発し疎水性多孔質膜で透過し凝縮する前に、沸騰させて該原水中の揮発性成分を気化して除去して得られた超純水を用いて半導体集積回路を洗浄する。【効果】目的を達成する半導体集積回路の洗浄方法又は洗浄装置を提供できる。
請求項（抜粋）：
原水から水蒸気を発生させ、この水蒸気を気体は透過させるが液体は透過させない疎水性多孔質膜を透過させた後凝縮して得られる超純水を用いて半導体集積回路を洗浄する方法において、前記原水を沸騰させ該原水中の揮発性成分を気化して除去した後水蒸気を発生させ、該水蒸気を前記疎水性多孔質膜と接触させることを特徴とする半導体集積回路の洗浄方法。
IPC (3件)：
B01D 53/22
, B01D 3/00
, C02F 1/04
