窒化アルミニウム配線基板およびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：波多野久 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-066114
公開番号（公開出願番号）：特開平9-260543
出願日： 1996年03月22日
公開日（公表日）： 1997年10月03日
要約：

【要約】【課題】半導体素子を搭載する窒化アルミニウムパッケージの信号配線部分の微細化および半導体素子自体の信号処理の高速化に対応するため、信号配線層を形成する配線金属層を緻密化させると共に、さらに高速・高出力の半導体素子の搭載が可能となるように、窒化アルミニウム材料本来の高熱伝導性および絶縁性を保持しつつ配線金属層の電気抵抗を低減し、さらに配線金属層の導通不良や外観不良等の発生を防止した窒化アルミニウム配線基板およびその製造方法を提供する。【解決手段】窒化アルミニウム基板3と、この窒化アルミニウム基板3の表面および内部の少なくとも一方に配設された配線金属層2,2aとを具備し、窒化アルミニウム基板3および配線金属層2,2aが同時焼成されて成る窒化アルミニウム配線基板1において、配線金属層2,2aが銅,銀,銅合金および銀合金の少なくとも一種とマンガンとを含有することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

窒化アルミニウム基板と、この窒化アルミニウム基板の表面および内部の少なくとも一方に配設された配線金属層とを具備し、窒化アルミニウム基板および配線金属層が同時焼成されて成る窒化アルミニウム配線基板において、上記配線金属層が銅,銀,銅合金および銀合金の少なくとも一種とマンガンとを含有することを特徴とする窒化アルミニウム配線基板。

IPC (4件)：

H01L 23/13 , H05K 1/03 610 , H05K 1/09 , H05K 3/46

FI (6件)：

H01L 23/12 C , H05K 1/03 610 E , H05K 1/09 A , H05K 3/46 S , H05K 3/46 H , H05K 3/46 T

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