特許
J-GLOBAL ID：200903092977507739
ジョセフソン接合素子及びその製造方法及び製造装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊東 忠彦 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-104389
公開番号（公開出願番号）：特開平7-302935
出願日： 1995年04月27日
公開日（公表日）： 1995年11月14日
要約：
【要約】【目的】 本発明は絶縁バリア層と連続にエピタキシャルにより設けられ、α<30°の角をなす斜面からなる基板上にエピタキシャル成長された第一の超伝導YBa<SB>2 </SB>Cu<SB>3 </SB>O<SB>7 </SB>層(以下にYBCOと称する)と、第二のYBCO層とからなるジョセフソン接合に関し、薄いエピタキシャル層、特に超伝導YBCO層上のジョセフソン接合のバリア層の製造方法を提供する。【構成】 フラックス変動が生ずる時に実質的な電圧変化と同様に高いI<SB>0 </SB>*Rn積がバリア層がNdGaO<SB>3 </SB>(NGO)又はPrGaO<SB>3 </SB>から作られることにより生ずる。ベース上にバリア層を製造するために該ベースはプラズマイオンエッチングにより前処理され、該ベースに向かうプラズマ励起イオンのエネルギーが該ベースの材料のスパッタリング閾値のエネルギーより小さいか又はほぼ等しい。
請求項（抜粋）：
基板上にエピタキシャルに成長され、絶縁バリア層(7)を連続してエピタキシャルに設けられたα<30°の角度の斜面を有する第一の超伝導YBa<SB>2 </SB>Cu<SB>3 </SB>O<SB>7 </SB>層(1)(以下YBCOと称する)と、第二のYBCO層(2)とからなるジョセフソン接合であって、該バリア層(7)はNdGaO<SB></SB><SB>3 </SB>(NGO)又はPrGaO<SB>3 </SB>からなることを特徴とするジョセフソン接合素子。
IPC (2件)：
H01L 39/22 ZAA
, H01L 39/24 ZAA
