特許

J-GLOBAL ID：200903092978689210

半導体レーザ装置

発明者： 辻 亮
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 小池 隆彌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-085388
公開番号（公開出願番号）：特開平11-284098
出願日： 1998年03月31日
公開日（公表日）： 1999年10月15日
要約：

【要約】【課題】 従来の半導体レーザ装置では、サブマウント上表面に付着されるろう材の面積がレーザチップの外形より大きいため、ダイボンドするとろう材がはみ出し、レーザチップの活性層まで這い上がりレーザリークを起こす問題が生じやすかった。【解決手段】 本発明のサブマウント上に載置されたレーザチップを有する半導体レーザ装置では、前記レーザチップを前記サブマウントにダイボンドするために用いるろう材の付着領域を、放熱を損なわない程度に、前記レーザチップと前記サブマウントの接着面積より小さくすることによって、上記問題を解決する。

請求項（抜粋）：

サブマウント上に載置されたレーザチップを有する半導体レーザ装置において、前記レーザチップを前記サブマウントにダイボンドするために用いるろう材の付着領域を、放熱を損なわない程度に、前記レーザチップと前記サブマウントの接着面積より小さくすることを特徴とする半導体レーザ装置。

IPC (4件)：

H01L 23/12 ,  H01L 21/52 ,  H01S 3/18 ,  H01S 3/025

FI (4件)：

H01L 23/12 F ,  H01L 21/52 A ,  H01S 3/18 ,  H01S 3/02 A

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-186688
  
• 特開昭58-070592
  
• 特開平4-186688
  
• 特開昭58-070592