特許

J-GLOBAL ID：200903092980775191

半導体層の製造方法、光起電力素子の製造方法及び半導体層の製造装置

発明者： 藤岡 靖 ,  酒井 明 ,  岡部 正太郎 ,  幸田 勇蔵 ,  澤山 忠志 ,  矢島 孝博 ,  金井 正博
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 渡辺 敬介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-218660
公開番号（公開出願番号）：特開2000-104174
出願日： 1999年08月02日
公開日（公表日）： 2000年04月11日
要約：

【要約】【課題】 大面積に良質の半導体層を高速で堆積することができる半導体層の製造方法を提供する。【解決手段】 放電室内に原料ガスを導入し、高周波電力を投入することにより前記原料ガスを放電分解し、該放電室内の基板上に半導体層を形成する半導体層の製造方法において、前記高周波電力として、少なくともVHF周波数の高周波電力を投入し、前記放電室内に、直流電力及び/又はRF周波数の高周波電力からなるバイアス電力を前記VHF周波数の高周波電力とともに投入し、前記バイアス電力を投入する電極に流れる電流の直流成分が、前記放電室の内壁の面積に対する電流密度で0.1A/m2〜10A/m2の範囲になるようにすることを特徴とする半導体層の製造方法。

請求項（抜粋）：

放電室内に原料ガスを導入し、高周波電力を投入することにより前記原料ガスを放電分解し、該放電室内の基板上に半導体層を形成する半導体層の製造方法において、前記高周波電力として、少なくともVHF周波数の高周波電力を投入し、前記放電室内に、直流電力及び/又はRF周波数の高周波電力からなるバイアス電力を前記VHF周波数の高周波電力とともに投入し、前記バイアス電力を投入する電極に流れる電流の直流成分が、前記放電室の内壁の面積に対する電流密度で0.1A/m2〜10A/m2の範囲になるようにすることを特徴とする半導体層の製造方法。

IPC (3件)：

C23C 16/517 ,  H01L 21/205 ,  H01L 31/04

FI (3件)：

C23C 16/517 ,  H01L 21/205 ,  H01L 31/04 T