特許

J-GLOBAL ID：200903092982894040

SOI基板の研磨方法およびその装置

発明者： 冨田 真一
出願人/特許権者： 三菱住友シリコン株式会社
代理人 (1件)： 安倍 逸郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-176272
公開番号（公開出願番号）：特開2004-022839
出願日： 2002年06月17日
公開日（公表日）： 2004年01月22日
要約：

【課題】SOI層の層厚の面内均一性が向上するSOI基板の研磨方法およびその装置を提供する。【解決手段】終点研磨装置10は、終点研磨機10A、SOI膜厚測定器10Bを備え、終点研磨機10Aが枚葉研磨機18,CPU30,研磨圧力制御手段,研磨時間制御手段16,セット位置制御手段19を有する。研磨前のSOI層11の厚さデータに基づき、その中心部と外周部との厚み差、研磨前のSOI層11の全体厚の平均に応じ、層厚のばらつきが下がるよう研磨圧力、研磨時間を変更し、SOI層11の研磨量を制御する。結果、SOI層11の層厚の面内均一性が向上する。研磨機10Aは層厚測定手段14からのSOI層11の層厚データに基づく自動制御であるので、SOI基板間の層厚の均一性が改善する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

活性層と、これを裏面側から支持する支持基板用ウェーハとの間に埋め込み酸化膜が介在されたSOI基板を、前記活性層側から研磨してこの活性層を減厚するSOI基板の研磨方法において、 研磨前の前記活性層の中心部と外周部との厚み差、および、研磨前の該活性層の全体の厚みの平均値に応じて、研磨圧力、研磨時間を制御するSOI基板の研磨方法。

IPC (4件)：

H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  B24B37/04 ,  B24B49/04

FI (5件)：

H01L21/304 622W ,  H01L21/304 622R ,  B24B37/00 B ,  B24B37/04 D ,  B24B49/04 Z

Fターム (15件)：

3C034AA08 ,  3C034AA13 ,  3C034BB93 ,  3C034CA04 ,  3C034CB04 ,  3C058AA07 ,  3C058AA12 ,  3C058AC02 ,  3C058BA02 ,  3C058BA05 ,  3C058BB03 ,  3C058BC01 ,  3C058CB01 ,  3C058DA02 ,  3C058DA17