特許
J-GLOBAL ID：200903092989185400
光電変換材料用半導体、光電変換素子及び太陽電池
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-112598
公開番号（公開出願番号）：特開2004-319309
出願日： 2003年04月17日
公開日（公表日）： 2004年11月11日
要約：
【課題】高い光電変換効率と優れた安定性とを示す光電変換材料用半導体、光電変換素子及び太陽電池を提供する。【解決手段】下記一般式(1)で表される色素を含むことを特徴とする光電変換材料用半導体。【化1】(式中、Z及びZ′は各々独立して、炭素原子と共に5〜6員環を形成するために必要な原子団を表わし、それぞれの環は、少なくとも1つはカルボキシル基またはカルボキシル基を有する置換基を有し、B1及びB2は各々独立して-C(R1)R2-又は-NR3-を表し、R1〜R3は水素原子又は置換基を表す。)【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
一般式(1)で表される色素を含むことを特徴とする光電変換材料用半導体。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01M14/00 P
, H01L31/04 Z
4H056DD06
, 4H056EA13
, 4H056FA10
, 5F051AA07
, 5F051AA14
, 5F051CB13
, 5F051FA03
, 5F051FA06
, 5F051GA03
, 5H032AA06
, 5H032AS06
, 5H032AS16
, 5H032EE16
, 5H032EE20
