特許
J-GLOBAL ID:200903092989185400

光電変換材料用半導体、光電変換素子及び太陽電池

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-112598
公開番号(公開出願番号):特開2004-319309
出願日: 2003年04月17日
公開日(公表日): 2004年11月11日
要約:
【課題】高い光電変換効率と優れた安定性とを示す光電変換材料用半導体、光電変換素子及び太陽電池を提供する。【解決手段】下記一般式(1)で表される色素を含むことを特徴とする光電変換材料用半導体。【化1】(式中、Z及びZ′は各々独立して、炭素原子と共に5〜6員環を形成するために必要な原子団を表わし、それぞれの環は、少なくとも1つはカルボキシル基またはカルボキシル基を有する置換基を有し、B1及びB2は各々独立して-C(R1)R2-又は-NR3-を表し、R1〜R3は水素原子又は置換基を表す。)【選択図】 なし
請求項(抜粋):
一般式(1)で表される色素を含むことを特徴とする光電変換材料用半導体。
IPC (2件):
H01M14/00 ,  H01L31/04
FI (2件):
H01M14/00 P ,  H01L31/04 Z
Fターム (14件):
4H056DD06 ,  4H056EA13 ,  4H056FA10 ,  5F051AA07 ,  5F051AA14 ,  5F051CB13 ,  5F051FA03 ,  5F051FA06 ,  5F051GA03 ,  5H032AA06 ,  5H032AS06 ,  5H032AS16 ,  5H032EE16 ,  5H032EE20

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