特許

J-GLOBAL ID：200903092992761960

半導体処理方法

発明者： クリス・シー・ユー ,  トゥルン・ティー・ドーン ,  アラン・イー・ロルーザ
出願人/特許権者： ミクロン・テクノロジー・インコーポレーテッド
代理人 (1件)： 湯浅 恭三 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-124290
公開番号（公開出願番号）：特開平6-069187
出願日： 1993年05月26日
公開日（公表日）： 1994年03月11日
要約：

【要約】【目的】 アルミニウム含有金属層の化学機械的研磨方法と、化学機械的研磨のためのスラリーとを提供すること。【構成】 (a)H3PO4 約0.1〜約20容量%と、H2O2 約1〜約30容量%と、H2Oと、固体研磨材とを含む化学機械的研磨スラリーを形成する工程;及び(b)半導体基板上のアルミニウム含有金属層を該スラリーによって化学機械的に研磨する工程を含む。H2O2以外の酸化剤も考えられる。【効果】 例えば、Ti、TiN、TiW物質のような、他の層の化学機械的研磨にも有用であり、バリヤー金属/アルミニウム層複合体の単一研磨工程での化学機械的研磨を可能にし、制御性を向上させ、スループットを改良させる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上のアルミニウム含有金属層を化学機械的に研磨する半導体処理方法において、次の工程:H3PO4 約0.1〜約20容量%と、H2O2 約1〜約30容量%と、H2Oと、固体研磨材とを含む化学機械的研磨スラリーを形成する工程;及び半導体基板上のアルミニウム含有金属層を該スラリーによって化学機械的に研磨する工程を含む方法。

IPC (3件)：

H01L 21/306 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/3205

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開昭62-102543
  
• 特開平1-055845
  
• 特開昭49-074632
  
• 特開昭57-110672
  
• 特開平1-316471