特許
J-GLOBAL ID：200903092995589785
コンデンサ内蔵多層セラミック基板
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
恩田 博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-289582
公開番号（公開出願番号）：特開平7-142869
出願日： 1993年11月18日
公開日（公表日）： 1995年06月02日
要約：
【要約】【目的】 低コストで拡散防止を行うことができるコンデンサ内蔵多層セラミック基板を提供することにある。【構成】 Al2 O3 -SiO2 -PbO系の絶縁基板1と2とが積層されている。絶縁基板1の下面にはコンデンサ電極層3が形成され、絶縁基板2の上面にはコンデンサ電極層4が形成されている。絶縁基板1と絶縁基板2と間には誘電体5が配置され、この誘電体5には、PbO-MgO-NbO系の誘電体材料が使用されている。そして、コンデンサ電極層3とコンデンサ電極層4の間に誘電体5が設けられたコンデンサ構造となっている。コンデンサ電極層3,4にはAg-Pd系材料に対しBaの酸化物BaOが5wt%添加されている。つまり、コンデンサ電極層3,4には、誘電体5の成分中最も電気陰性度の小さいMgよりも更に電気陰性度の小さいBaの酸化物BaOが添加されている。
請求項（抜粋）：
複数のセラミック絶縁層が積層され、この積層されたセラミック絶縁層の対向する表面上に形成された少なくとも一対の電極層の間に誘電体を設けることによりその内部にコンデンサを形成したコンデンサ内蔵多層セラミック基板において、前記内部コンデンサを形成する前記一対の電極層に、前記セラミック絶縁層のガラス成分に対し前記誘電体の成分よりも反応性に富む成分を添加したことを特徴とするコンデンサ内蔵多層セラミック基板。
IPC (3件)：
H05K 3/46
, H01G 4/12 415
, H01G 4/30 301
