接合電界効果型固体撮像装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-237912
公開番号（公開出願番号）：特開平6-085226
出願日： 1992年09月07日
公開日（公表日）： 1994年03月25日
要約：

【要約】【目的】画素に増幅機能を持たせ、低照度における画質劣化を改善する。【構成】NチャネルJFETのゲイト領域の電位をその周囲に設けたトランスファゲイト,リセットドレインおよびチャネル領域に隣接して設けたスイッチングトランジスタより制御することが可能な複合トランジスタを光電変換素子とした。

請求項（抜粋）：

光電変換素子を有する複数の画素を2次元に配列し、前記各画素の同種の電極どおしを互いに接続して成る光電変換部と、少くともシフトレジスタを有し、前記光電変換部で得られた電気信号を転送・出力する転送・出力部とを備えた固体撮像装置において、前記光電変換素子が、第1導電型半導体基板の表面に第2導電型半導体層を設け、この半導体装置に、第1の第2導電型領域と、この第1の第2導電型領域を用い、かつ一定間隔を置いて設けた幅の狭い第2の第2導電型領域と、この第2の第2導電型領域の外側に設けた第1の第1導電型領域と、前記第1の第2導電型領域の外周に設けた第2の第1導電型領域と、さらにこの第2の第1導電型領域の外周に設け、前記幅の狭い第2の第2導電型領域とは一定間隔を有する第3の第2導電型領域と、この第3の第2導電型領域と前記幅の狭い第2の第2導電型領域の間に設けた第3の第1導電型領域とを有し、さらに前記各半導体上面に配線とのコンタクト部を除いて設けた絶縁膜と、この絶縁膜上に、前記幅の狭い第2の第2導電型領域をおおい、かつその内側の第3の第1導電型領域の少くとも一部と外側の第1の第1導電型領域の少くとも一部をおおうように形成された第1の電極と、前記第1の第2導電型領域の外周に設けた第2の第1導電型領域の少くとも一部に直接形成された第2の電極と、前記幅の狭い第2の第2導電型領域上に直接形成された第3の電極とを有することを特徴とする接合電界効果型固体撮像装置。

IPC (4件)：

H01L 27/146 , H04N 1/028 , H04N 5/335 , H01L 31/10

FI (2件)：

H01L 27/14 A , H01L 31/10 E

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