特許

J-GLOBAL ID：200903093008370412

露光装置及び半導体装置の製造方法

発明者： 島田 新一 ,  高橋 修也
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 竹村 壽
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-231266
公開番号（公開出願番号）：特開平10-064800
出願日： 1996年08月14日
公開日（公表日）： 1998年03月06日
要約：

【要約】【課題】 複数の光源を使用することによりスソ引き部を選択的に除くことができる露光装置及び半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板上のフォトレジストを露光する装置であり、半導体基板1上のフォトレジスト10が有する特異吸収帯に対応する波長を有する第1の光を生成する第1の光源と、前記高分子集合体と異なる分子量を有する高分子の内部結合を切断するエネルギーを有し、前記第1の光とは異なる波長を有する第2の光を生成する第2の光源と、これら第1及び第2の光源からの光を選択的に透過させるマスク23とを備え、この透過光がフォトレジスト上に照射されるように構成されている。フォトレジストのスソ引きに対し、フォトレジストの高分子-高分子間結合を切断するエネルギーを使用後、高分子内部結合の切断に対応する高光エネルギーを注入してスソ引きを解消できる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に塗布された高分子集合体からなるフォトレジストが有する特異吸収帯に対応する波長を有する第1の光を生成する第1の光源と、前記高分子集合体と異なる分子量を有する高分子の内部結合を切断するエネルギーを有し、前記第1の光とは異なる波長を有する第2の光を生成する第2の光源と、これら第1及び第2の光源からの光を選択的に透過させるマスクとを備え、前記マスクを透過した前記第1及び第2の光は、すべて光軸を同じくするように前記フォトレジスト上に照射されるように構成されていることを特徴とする露光装置。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/20 521

FI (3件)：

H01L 21/30 502 A ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/30 509