特許
J-GLOBAL ID：200903093009734710
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-253407
公開番号（公開出願番号）：特開平7-074264
出願日： 1993年10月08日
公開日（公表日）： 1995年03月17日
要約：
【要約】【目的】 この発明は、n- 埋め込み不純物領域およびn+ 埋め込み不純物領域の構造の最適化を図り、高耐圧化および微細化の要求に応えることのできる半導体装置およびその製造方法を提供する。【構成】 この発明の半導体装置は、第2導電型低濃度不純物領域6の第1導電型低濃度不純物層2の主面からの不純物拡散深さが、第2導電型高濃度不純物領域8の第1導電型低濃度不純物層2の主面からの不純物拡散深さの3倍以上となっている。
請求項（抜粋）：
主面を有する第1導電型低濃度不純物層と、この第1導電型低濃度不純物層の前記主面の上に形成された第2導電型低濃度不純物層と、前記第1導電型低濃度不純物層の前記主面の所定の領域に、前記第1導電型低濃度不純物層と前記第2導電型低濃度不純物層とにまたがるように形成された第2導電型高濃度不純物領域と、前記第2導電型高濃度不純物領域を下方から取り囲むように前記第1導電型低濃度不純物層内に形成された第2導電型低濃度不純物領域と、を備え、前記第2導電型低濃度不純物領域の前記第1導電型低濃度不純物層の前記主面からの不純物拡散深さが、前記第2導電型高濃度不純物領域の前記第1導電型低濃度不純物層の前記主面からの不純物拡散深さの3倍以上である、半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/8238
, H01L 27/092
