特許
J-GLOBAL ID：200903093016691228
半導体装置とその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
野口 繁雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-341568
公開番号（公開出願番号）：特開平6-168906
出願日： 1992年11月27日
公開日（公表日）： 1994年06月14日
要約：
【要約】【目的】 コンタクトホールのメタルカバレッジを向上させ、かつ基板へのダメージも抑える。【構成】 シリコン基板2上にはSiO2膜4とその上のBPSG膜6とからなる二層構造の層間絶縁膜5が形成され、基板2とコンタクトをとる位置にコンタクトホールが形成されている。そのコンタクトホールはSiO2膜4のコンタクトホールよりもBPSG膜6のコンタクトホールの方が大きく形成され、かつそれらのコンタクトホールの斜面は上方に向かって開く方向に傾斜している。コンタクトホールの底部にはタングステン膜10が形成され、そのタングステン膜10を介してアルミニウム配線12が層間絶縁膜5上から形成され、コンタクトホールでタングステン膜10を介してシリコン基板2と電気的に接続されている。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に二層の絶縁膜にてなる層間絶縁膜が形成され、基板の所定部分とコンタクトを形成する位置には前記層間絶縁膜にコンタクトホールがあけられ、そのコンタクトホールは前記二層構造の層間絶縁膜の下層絶縁膜のコンタクトホールより上層絶縁膜のコンタクトホールの方が大きく、かつそれらのコンタクトホールの側面は上方に向って開く方向に傾斜しており、そのコンタクトホールでは第1メタル膜を介して第2メタル膜の配線が基板と電気的に接続されているコンタクトをもつことを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/28
, H01L 21/90
, H01L 29/46
