特許
J-GLOBAL ID:200903093016853040

半導体レーザ装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 薄田 利幸
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-271431
公開番号(公開出願番号):特開平7-131104
出願日: 1993年10月29日
公開日(公表日): 1995年05月19日
要約:
【要約】【目的】広帯域に渡って平坦な周波数変調応答特性を有する半導体レーザを実現することである。【構成】共振器の共振方向に屈折率の周期的摂動と利得の周期的摂動とを同時に有する活性層3上に回折格子7が配設された半導体レーザ装置であって、回折格子7の周期に不等ピッチ成分を存在せしめ、両者の周期的摂動の位相が一致していると共に、不均一な周期成分領域を有する半導体レーザ装置によって構成される。不均一な周期成分領域を有する回折格子7としては、例えば周期的摂動の位相が不連続となる領域を有するもの、周期的摂動の周期が異なる領域を2つ以上有するもの、周期的摂動の周期が不均一な領域を有するもの等が挙げられる。【効果】1kHz〜20GHzの広帯域に渡って平坦な周波数変調応答特性を有する半導体レーザを得ることができる。
請求項(抜粋):
共振器の共振方向に屈折率の周期的摂動と利得の周期的摂動とを同時に有する半導体レーザ装置であって、両者の周期的摂動の位相が一致していると共に、不均一な周期成分領域を有して成る半導体レーザ装置。

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