特許
J-GLOBAL ID：200903093017112558
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-023571
公開番号（公開出願番号）：特開平10-223884
出願日： 1997年02月06日
公開日（公表日）： 1998年08月21日
要約：
【要約】【課題】 従来、配線層形成後にMOSトランジスタのしきい値電圧を制御する方法は、ステップ数が多いという問題があった。【解決手段】 半導体基板上にゲート絶縁膜、ゲート電極、ソース領域、ドレイン領域を有するMOSトランジスタ素子を形成する工程と、層間絶縁膜を形成する工程と、前記層間絶縁膜を介してコンタクトを形成する工程と、前記コンタクト部を含む前記層間絶縁膜上に配線層を形成する工程と、水素イオンを所定のMOSトランジスタ素子のチャネル領域近傍に水素濃度のピークが位置するように注入する工程と、熱処理を行う工程を含む。
請求項（抜粋）：
MOSトランジスタ素子のしきい値制御を行う半導体装置の製造方法において、前記しきい値制御を水素イオンで行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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