特許
J-GLOBAL ID：200903093018644111
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
柏谷 昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-058444
公開番号（公開出願番号）：特開平7-273125
出願日： 1994年03月29日
公開日（公表日）： 1995年10月20日
要約：
【要約】【目的】 半導体装置の製造方法に関し、工程が簡易で、かつ、正確で均一なベース層の表面保護層を得る手段を提供する。【構成】 InP/InGaAs系HBTのInPからなるエミッタ層4とInGaAsからなるベース層2の間にInGaAsPからなる遷移層3を挿入し、この遷移層3にエミッタ層4をエッチングする際のエッチングストッパーとしての役割をもたせることによって、この遷移層3によって正確な厚さの表面保護層を形成する。GaAsからなるエミッタ層とGaAsからなるベース層の間にInGaP層とInGaAsP層の2層構造からなる遷移層を挿入し、この遷移層3にエミッタ層4をエッチングする際のエッチングストッパーとしての役割をもたせるとともに、理想的なバンドアライメントを得ることによって注入エネルギーを下げる。
請求項（抜粋）：
InP/InGaAs系HBTのInPからなるエミッタ層とInGaAsからなるベース層の間にInGaAsPからなる遷移層を挿入し、該遷移層に該エミッタ層をエッチングする際のエッチングストッパーとしての役割をもたせることによって、該遷移層によって正確な厚さの表面保護層を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/331
, H01L 29/73
, H01L 29/205
