特許

J-GLOBAL ID：200903093020486310

パターン形成方法

発明者： 藤本 匡志
出願人/特許権者： NECエレクトロニクス株式会社
代理人 (1件)： 高橋 勇
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-008531
公開番号（公開出願番号）：特開2003-209048
出願日： 2002年01月17日
公開日（公表日）： 2003年07月25日
要約：

【要約】【課題】 光近接効果の影響に加えデフォーカスや球面収差の影響も排除することにより寸法精度を向上させる。【解決手段】 本発明のパターン形成方法は、位相シフトマスク10,12を用いた露光により、基板141上のレジスト膜に回路パターン14を形成するものである。位相シフトマスク10は隣接パターン間距離W1が400nm以上のパターンからなる孤立パターン161用とし、位相シフトマスク12は隣接パターン間距離W2が400nm未満のパターンからなる密集パターン162用としている。隣接パターン間距離W1,W2に応じて異なる位相シフトマスク10,12を用い、それぞれの隣接パターン間距離W1,W2に最適な露光条件を採ることにより、光近接効果の影響が排除される。

請求項（抜粋）：

位相シフトマスクを用いた露光により、基板上のレジスト膜に所定のパターンを形成するパターン形成方法において、隣接するパターン間の距離である隣接パターン間距離に応じて、異なる位相シフトマスクを用い、異なる条件で露光する、ことを特徴とするパターン形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/20 521

FI (5件)：

G03F 7/20 521 ,  H01L 21/30 516 Z ,  H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 516 A ,  H01L 21/30 516 D

Fターム (4件)：

5F046AA25 ,  5F046CB17 ,  5F046DA02 ,  5F046DA13

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 露光方法及び露光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-114725   出願人：キヤノン株式会社