特許
J-GLOBAL ID：200903093028991294
気相成長装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
河野 登夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-322661
公開番号（公開出願番号）：特開平6-151338
出願日： 1992年11月06日
公開日（公表日）： 1994年05月31日
要約：
【要約】【目的】 Siの多結晶又は単結晶を成長させる反応炉において、反応ガスの濃度分布及び流速分布の精密な制御を行って、均一な結晶膜を得ることができる気相成長装置を提供する。【構成】 複数枚のウェハ2を載置する円形のサセプタ3が回転可能に設置された反応炉1の1辺側にガス導入ユニット8を連設してある。一方、図示しないガス源に貯留されている反応ガス又はキャリアガスは、夫々流量調節弁を備える流量計11を経て、ガスミキサ10へ供給され、このガスミキサ10にて混合される構成となしてある。この混合ガスを反応炉1へ供給するための5本の配管9a,9b,9c,9d,9eを反応炉1に連設されたガス導入ユニット8上部の5個のガス導入口7に連結してある。前記流量計11では流量を測定し、その流量が所定流量となるように流量調節弁によって自動的に調節される。
請求項（抜粋）：
反応炉内に、複数のウェハを載置した回転可能な円形サセプタを配置し、前記反応炉の1辺側に並設された複数の配管から前記反応炉内へガスを導入して前記ウェハ上に結晶膜を成長させる気相成長装置において、前記複数の配管夫々の途中にガスの流量を調節する流量調節手段を備え、前記複数の配管へは夫々所定濃度に調整されたガスを導入することが可能な構成としてあることを特徴とする気相成長装置。
IPC (2件)：
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