特許

J-GLOBAL ID：200903093030861535

半導体素子実装用回路基板

発明者： 東 昌彦 ,  篠崎 道生 ,  山口 浩一 ,  国分 正也 ,  民 保秀
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 郁男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-350091
公開番号（公開出願番号）：特開平10-189659
出願日： 1996年12月27日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 配線基板に半導体素子をロウ付し、この半導体パッケージと半導体素子との接続部の間に熱硬化性樹脂を含む特定の充填剤を注入硬化することにより、電気的接続を維持させる。【解決手段】 40乃至400°Cに於ける熱膨張係数が8乃至25ppm/°Cの絶縁基板1とその表面に配設されたメタライズ配線層2とを備えた配線基板の表面に、接続用電極4を備えた半導体素子Aを載置し、前記配線基板のメタライズ配線層2と半導体素子Aの接続用電極4とをロウ付し、且つ前記配線基板と半導体素子Aとの間に少なくとも熱硬化性樹脂を含む充填剤を注入、硬化する。前記充填剤の硬化後の40乃至400°Cに於ける熱膨張係数は20乃至50ppm/°C、前記温度範囲に於けるヤング率が5乃至10GPaとする。

請求項（抜粋）：

40乃至400°Cに於ける熱膨張係数が8乃至25ppm/°Cの絶縁基板と該絶縁基板表面に配設されたメタライズ配線層とを備えた配線基板の表面に、接続用電極を備えた半導体素子を載置し、前記配線基板のメタライズ配線層と前記半導体素子の接続用電極とをロウ付し、且つ前記配線基板と前記半導体素子との間に少なくとも熱硬化性樹脂を含む充填剤を注入、硬化して成る半導体素子実装配線基板であって、前記充填剤の硬化後の40乃至400°Cに於ける熱膨張係数が20乃至50ppm/°C、前記温度範囲に於けるヤング率が5乃至10GPaであることを特徴とする半導体素子実装配線基板。

IPC (3件)：

H01L 21/60 311 ,  H01L 23/12 ,  H05K 1/18

FI (3件)：

H01L 21/60 311 S ,  H05K 1/18 L ,  H01L 23/12 L