特許

J-GLOBAL ID：200903093032048220

オゾン発生装置及びこれを用いた熱処理システム

発明者： 長谷井 雅昭 ,  大加瀬 亘 ,  高鍋 英一郎 ,  牛川 治憲
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 浅井 章弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-375150
公開番号（公開出願番号）：特開2000-178011
出願日： 1998年12月11日
公開日（公表日）： 2000年06月27日
要約：

【要約】【課題】 混入するクロム等の重金属の含有量を抑制したオゾン発生装置を提供する。【解決手段】 所定の放電空間Sを隔てて対向させて配置された2つの平板状の電極56,58と、この電極の外周を密接して覆う外側容器53,54と、前記放電空間に原料ガスを導入する原料ガス導入口46と、前記放電空間にて発生したオゾンガスを排出するオゾン排出口48とを有するオゾン発生セル42を備えたオゾン発生装置において、前記電極の周縁部と対向する前記外側容器の内壁面に、高純度の絶縁性部材よりなる金属汚染防止層72を設ける。これにより、混入するクロム等の重金属の含有量を抑制する。

請求項（抜粋）：

所定の放電空間を隔てて対向させて配置された2つの平板状の電極と、この電極の外周を密接して覆う外側容器と、前記放電空間に原料ガスを導入する原料ガス導入口と、前記放電空間にて発生したオゾンガスを排出するオゾン排出口とを有するオゾン発生セルを備えたオゾン発生装置において、前記電極の周縁部と対向する前記外側容器の内壁面に、高純度の絶縁性部材よりなる金属汚染防止層を設けたことを特徴とするオゾン発生装置。

IPC (5件)：

C01B 13/11 ,  H01L 21/26 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/31 ,  H01T 23/00

FI (5件)：

C01B 13/11 F ,  H01L 21/31 C ,  H01T 23/00 ,  H01L 21/26 G ,  H01L 21/302 N

Fターム (23件)：

4G042CA01 ,  4G042CC04 ,  4G042CC10 ,  4G042CE04 ,  5F004BA04 ,  5F004BB05 ,  5F004BB13 ,  5F004BB26 ,  5F004BB28 ,  5F004BB29 ,  5F004BC07 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F004DA27 ,  5F004FA01 ,  5F045AC11 ,  5F045BB14 ,  5F045EB06 ,  5F045EC05 ,  5F045EH13 ,  5F045EK21 ,  5F045EM02 ,  5F045HA16