薄膜トランジスタ基板及びその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：小野由己男 , 稲積朋子 , 堀川かおり
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-203777
公開番号（公開出願番号）：特開2007-036259
出願日： 2006年07月26日
公開日（公表日）： 2007年02月08日
要約：

【課題】本発明は、有機半導体層が比較的平坦な薄膜トランジスタ基板及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明による薄膜トランジスタ基板は、絶縁基板と;前記絶縁基板上に形成されて、チャンネル領域の両側に離隔配置されたソース電極及びドレイン電極と;前記ソース電極及び前記ドレイン電極の各々の少なくとも一部分露出させながら、前記チャンネル領域を包囲する、フッ素系高分子物質で形成される隔壁と;前記隔壁内に形成されている有機半導体層を含むことを特徴とする。これにより、有機半導体層が比較的平坦な薄膜トランジスタ基板が提供される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

絶縁基板と; 前記絶縁基板上に形成され、チャンネル領域の両側に離隔配置されたソース電極及びドレイン電極と; 前記ソース電極及び前記ドレイン電極各々の少なくとも一部分を露出させ、前記チャンネル領域を包囲し、フッ素系高分子物質で形成された隔壁と; 前記隔壁内に形成されている有機半導体層を含むことを特徴とする薄膜トランジスタ基板。

IPC (5件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 51/05 , H01L 51/30 , G09F 9/30

FI (8件)：

H01L29/78 618B , H01L29/78 627A , H01L29/28 100A , H01L29/28 250Z , G09F9/30 338 , H01L29/78 627C , H01L29/78 619A , H01L29/78 618A

Fターム (35件)：

5C094AA43 , 5C094BA03 , 5C094BA27 , 5C094DA13 , 5C094DA20 , 5C094FB14 , 5C094FB20 , 5C094GB10 , 5F110AA18 , 5F110BB01 , 5F110CC03 , 5F110CC05 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD05 , 5F110DD12 , 5F110DD14 , 5F110DD17 , 5F110EE14 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF27 , 5F110GG05 , 5F110GG42 , 5F110GG57 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110NN02 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN34 , 5F110NN46 , 5F110NN71 , 5F110NN72 , 5F110QQ19

引用特許：

出願人引用 (1件)

韓国特許公開第2001-12686号

審査官引用 (12件)

半導体装置、その製造方法及び液晶表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-069529 出願人：株式会社日立製作所
有機半導体を用いた薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-250325 出願人：三星電子株式会社
誘電体材料および誘電体膜
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-020826 出願人：ソニー株式会社

全件表示

前のページに戻る