特許
J-GLOBAL ID：200903093039942430
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-204634
公開番号（公開出願番号）：特開2001-033937
出願日： 1999年07月19日
公開日（公表日）： 2001年02月09日
要約：
【要約】【課題】 大量のデータの処理を効率よく、かつ簡便に行うことができ、近接効果補正を簡便化し、所望のパターンデータを効率よく短時間で得る。【解決手段】 GUIを用いて、複数のパターンファイル30と1つのパラメータファイル31とを1つのフォルダに格納する。このフォルダに格納された複数のパターンファイル30に対して、このパターンファイル30と同じフォルダに格納された1つのパラメータファイル31を適用することにより、光近接効果補正を行う。近接効果補正が行われた、複数の補正後のパターンファイル33をまとめて、これらを含むGDS IIストリームファイル36を作成する。
請求項（抜粋）：
パターンデータに対して近接効果補正のためのパラメータデータを適用して、上記パターンデータに対して上記近接効果補正を行うことにより補正後のパターンデータを作成し、上記補正後のパターンデータに対してフォーマット変換を行うことにより設計パターンデータを作成し、上記設計パターンデータに基づいた描画データを作成し、上記描画データを基づいて製造されたフォトマスクを用いて半導体装置を製造するようにした半導体装置の製造方法において、上記パターンデータを記憶手段に記憶するステップと、上記パラメータデータを記憶手段に記憶するステップと、上記記憶手段に記憶された上記パターンデータから複数のパターンデータを選択するステップと、上記記憶手段に記憶された上記パラメータデータから1つのパラメータデータを選択するステップと、上記複数のパターンデータに対して、上記1つのパラメータデータを適用して上記近接効果補正を行うことにより、上記複数のパターンデータに対応した複数の補正後のパターンデータを作成するステップとを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G03F 1/08 A
, H01L 21/30 502 P
