特許
J-GLOBAL ID：200903093042617800
半導体製造方法並びにその装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
柳野 隆生
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-133502
公開番号（公開出願番号）：特開平6-073598
出願日： 1991年05月08日
公開日（公表日）： 1994年03月15日
要約：
【要約】【目的】半導体ウェハーを均一な厚みでメッキ処理を施したり、同様に化成処理等を行うものである。【構成】上方を開放した処理槽1の上方に半導体ウェハーWをその被処理面を下にして保持し、処理槽1内の複数箇所より処理液を供給することにより処理槽1の上方からオーバーフローさせながら、処理槽1内に配設された下部電極2と上部電極3間に電流を流して半導体ウェハーWにメッキ、化成等の処理を施すものである。
請求項（抜粋）：
上方を開放した処理槽の上方に半導体ウェハーをその被処理面を下にして保持し、処理槽内の複数箇所より処理液を供給することにより処理槽の上方からオーバーフローさせながら、処理槽内に配設された下部電極と上部電極間に電流を流して半導体ウェハーにメッキ、化成等の処理を施す半導体製造方法。
IPC (3件)：
C25D 17/00
, C25D 5/08
, H01L 21/288
