特許

J-GLOBAL ID：200903093053217978

基板処理装置及び方法

発明者： 北橋 正光
出願人/特許権者： 株式会社小松製作所
代理人 (1件)： 上村 輝之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-195205
公開番号（公開出願番号）：特開2000-031253
出願日： 1998年07月10日
公開日（公表日）： 2000年01月28日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 プラズマCVD法でSi基板上にダイヤモンド膜を成膜するような場合、基板を効果的に冷却して基板を適温に保つと共に、基板とダイヤモンド膜と熱膨張率の差による基板の撓みを無くす。【解決手段】 基板支持台11の上面11Aを、基板13とダイヤモンド膜との膨張率の違いによる撓みを補償するように湾曲させておく。この湾曲した支持台上面11Aに基板13を吸着して湾曲状態に固定した上で成膜を行う。成膜時、基板13の下面の随所に対して、温度調節された冷却用ガス又は冷却液のジェットを高速で衝突させて、基板を効率的に冷却する。

請求項（抜粋）：

基板を固定する固定部を有した基板支持台と、前記基板支持台に固定されている基板上に膜を成膜する成膜機構とを備え、前記基板支持台の固定部が、成膜後の前記基板を前記固定部から外して室温まで冷却したときに前記基板と前記基板上の膜との熱膨張率の相違に起因して前記基板がフラットな形状に戻るように、湾曲した状態で前記基板を固定する基板処理装置。

IPC (5件)：

H01L 21/68 ,  C23C 14/50 ,  C23C 16/26 ,  C23C 16/458 ,  H02N 13/00

FI (5件)：

H01L 21/68 R ,  C23C 14/50 E ,  C23C 16/26 ,  C23C 16/44 H ,  H02N 13/00 D

Fターム (18件)：

4K029AA06 ,  4K029BA34 ,  4K029EA08 ,  4K029JA01 ,  4K029JA05 ,  4K030BA28 ,  4K030BB03 ,  4K030CA04 ,  4K030FA01 ,  4K030GA02 ,  4K030KA24 ,  4K030KA47 ,  5F031BB09 ,  5F031BC05 ,  5F031FF01 ,  5F031FF03 ,  5F031KK07 ,  5F031MM12