特許

J-GLOBAL ID：200903093054310327

基板処理方法および基板処理装置

発明者： 豊田 一行 ,  巻口 一誠 ,  佐藤 崇之 ,  八島 伸二 ,  田中 勉
出願人/特許権者： 国際電気株式会社
代理人 (1件)： 油井 透 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-055420
公開番号（公開出願番号）：特開平11-260810
出願日： 1998年03月06日
公開日（公表日）： 1999年09月24日
要約：

【要約】【課題】 被処理基板に対する反応性ガスの供給位置を調整して、薄膜形成やエッチング等の基板面内処理状態の均一性を制御できるようにして、プロセスのマージンを広げる。【解決手段】 反応室2内の底部に設けた試料台12に被処理基板10を静電吸着する。反応室2内の被処理基板10の周辺に、反応性ガスを被処理基板10の被処理面に供給する複数のノズル70を、被処理基板10を中心に点対称に設ける。これらのノズル70をノズル台71にそれぞれ取り付ける。ノズル台71は反応室2の底部から挿入した支持棒80に支持する。反応室2の外部に設けた駆動機構により、支持棒80を反応室2に対して進退させることにより、ノズル70を上下移動して被処理基板10に対するノズル70の高さを調整できるようにする。

請求項（抜粋）：

被処理基板の周辺に設けた複数のガス供給口から前記被処理基板の中心に向けて反応性ガスを供給して前記被処理基板を処理するに際し、前記複数のガス供給口から供給される前記被処理基板に対する前記反応性ガスの供給位置を調整して、前記複数のガス供給口から供給される反応性ガスによる前記被処理基板の処理速度が前記被処理基板面内で均一になるようにしたことを特徴とする基板処理方法。

IPC (3件)：

H01L 21/31 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065

FI (3件)：

H01L 21/31 C ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/302 B