特許
J-GLOBAL ID:200903093058582810

半導体素子収納用パッケージ

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-189147
公開番号(公開出願番号):特開平6-037196
出願日: 1992年07月16日
公開日(公表日): 1994年02月10日
要約:
【要約】【目的】基体本体に蓋体を半田から成る封止材を介して強固に接合させ、基体本体と蓋体とから成る容器内部に半導体素子を気密に封入することによって半導体素子を長期間にわたり正常、且つ安定に作動させることができる半導体素子収納用パッケージを提供することにある。【構成】半導体素子3が載置される載置部4aを有する絶縁基体4上に、前記載置部4aを囲繞するとともに上面にメタライズ金属層5aが被着された絶縁枠体5を、その間に外部リード端子6を挟んでガラス付けして成る基体本体1と、前記絶縁枠体5上面のメタライズ金属層5aに半田から成る封止材9を介して取着される蓋体2とで構成される半導体素子収納用パッケージであって、前記絶縁枠体5上面のメタライズ金属層5aは銀ーパラジウムから成り、且つ表面がニッケル、鉛、錫、金もしくはこれらの合金の1種から成るメッキ層5bで被覆されている。
請求項(抜粋):
半導体素子が載置される載置部を有する絶縁基体上に、前記載置部を囲繞するとともに上面にメタライズ金属層が被着された絶縁枠体を、その間に外部リード端子を挟んでガラス付けして成る基体本体と、前記絶縁枠体上面のメタライズ金属層に半田から成る封止材を介して取着される蓋体とで構成される半導体素子収納用パッケージであって、前記絶縁枠体上面のメタライズ金属層は銀ーパラジウムから成り、且つ表面がニッケル、鉛、錫、金、もしくはこれらの合金の少なくとも1種から成るメッキ層で被覆されていることを特徴とする半導体素子収納用パッケージ。
IPC (2件):
H01L 23/02 ,  H01L 23/10

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