特許

J-GLOBAL ID：200903093064247216

半導体製造プロセス

発明者： 都築 浩一
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-228450
公開番号（公開出願番号）：特開平7-086167
出願日： 1993年09月14日
公開日（公表日）： 1995年03月31日
要約：

【要約】【構成】薄膜応力検知部は、プロセスチャンバ内面と同じ材料の検知表面と、その裏に密着した歪センサで構成され、検知表面上に形成された薄膜の内部応力に起因する歪を測定するので、チャンバ表面上の薄膜厚さを知ることができる。【効果】チャンバ内壁上に形成された膜厚を知ることによって、その薄膜が破壊して塵埃を発生する前に、薄膜除去のクリーニングを開始するなど、ウェハの塵埃汚染を防ぐことができる。

請求項（抜粋）：

薄膜製造装置において、装置チャンバ内部に、作成する薄膜の応力を測定する手段を設けたことを特徴とする薄膜製造装置。