特許
J-GLOBAL ID：200903093072878152
エッチング方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮越 典明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-092115
公開番号（公開出願番号）：特開平11-288920
出願日： 1998年04月03日
公開日（公表日）： 1999年10月19日
要約：
【要約】【課題】 エッチング残渣を生じさせないエッチング方法を提供すること。【解決手段】 半導体基板にガスプラズマエッチングにより溝を形成するエッチング方法において、前記半導体基板にエッチングのための所定の前処理を施す手段と、所定の初期設定を持つエッチング条件下でガスプラズマエッチングを実施する手段と、前記実施されるガスプラズマエッチングに付随して生じる発光スペクトルを検出し、かつ分析する手段と、前記分析手段による分析結果を監視する手段を有し、そして、前記エッチングを実施する過程において、前記発光スペクトル分析結果の監視結果に基づいて、前記エッチング条件の更新を含めて、前記ガスプラズマエッチング手段を制御するエッチング方法。この方法に使用するエッチング装置は、チャンバ-1,発光スペクトル分析装置11,エッチングを制御する操作部12より構成されている。
請求項（抜粋）：
半導体基板にガスプラズマエッチングにより溝を形成するエッチング方法において、(1) 前記半導体基板にエッチングのための所定の前処理を施す手段と、(2) 所定の初期設定を持つエッチング条件下でガスプラズマエッチングを実施する手段と、(3) 前記実施されるガスプラズマエッチングに付随して生じる発光スペクトルを検出し、かつ分析する手段と、(4) 前記分析手段による分析結果を監視する手段と、を有し、前記エッチングを実施する過程で、前記発光スペクトル分析結果の監視結果に基づいて、前記エッチング条件の更新を含めて、前記ガスプラズマエッチング手段を制御すること、を特徴とするエッチング方法。
引用特許：
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