特許

J-GLOBAL ID：200903093073113168

堆積非晶質Si層のエピタキシャル単結晶化法

発明者： 中田 穣治
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 中村 純之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-076957
公開番号（公開出願番号）：特開平10-270362
出願日： 1997年03月28日
公開日（公表日）： 1998年10月09日
要約：

【要約】【課題】単結晶Si基板1上に化学気相堆積法により堆積した非晶質Si層2を事前に高温熱処理することなくエピタキシャル単結晶化すること。【解決手段】前記非晶質Si層2に対し 1 MeV 以上の加速エネルギーのイオン3を照射して前記単結晶Si基板1と前記非晶質Si層2との界面に存在する酸素を拡散させ、かつ全体に対し熱処理を行うことにより前記非晶質Si層2をエピタキシャル単結晶化させる。

請求項（抜粋）：

単結晶Si基板上に化学気相堆積法により堆積した非晶質Si層に対し 1 MeV以上の加速エネルギーのイオンを照射して前記単結晶Si基板と前記非晶質Si層との界面に存在する酸素を拡散させる工程と、前記基板に対し熱処理を行うことにより前記非晶質Si層を単結晶化させて単結晶Si層とする工程とを有することを特徴とする堆積非晶質Si層のエピタキシャル単結晶化法。

IPC (3件)：

H01L 21/20 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 21/20 ,  H01L 29/78 627 G