NAND形セル構造を有する不揮発性半導体メモリ

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高月猛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-041589
公開番号（公開出願番号）：特開平6-325580
出願日： 1994年03月11日
公開日（公表日）： 1994年11月25日
要約：

【要約】【目的】NAND形セル構造の不揮発性半導体メモリについて、メモリセルの絶縁破壊による待機時の電流消費の増加を防止でき、また、ビット線ピッチを緩和させられてブリッジ現象を発生しにくいようにできるメモリセル構成の提供。【構成】直列接続されたメモリセル(M10D〜M1nD)から構成される単位メモリストリングのビット線BL側に二つのストリング選択トランジスタ(MS10D、MS11D)、接地側に二つのストリング選択・接地選択トランジスタ(MG10D、MG11D)を設け、ストリング選択信号SS0、SS1と接地選択信号GS0、GS1でそれぞれ制御する。接地選択信号GS0、GS1は待機時に論理“ロウ”、選択時にいずれか一方が論理“ハイ”となる。このようにしてストリング選択トランジスタを四つ設けたのでビット線BLに単位メモリストリングを四つ接続することができ、ビット線ピッチを緩和させられる。

請求項（抜粋）：

チャネルが相互に直列接続された多数のメモリセルから一つの単位メモリストリングが構成され、この単位メモリストリングが行と列方向に複数配列されてセルアレイを構成するようになった不揮発性半導体メモリにおいて、単位メモリストリングの一端に直列接続され、ストリング選択信号の制御を受ける少なくとも二つのストリング選択トランジスタと、単位メモリストリングの他端に直列接続され、接地選択信号の制御を受けてストリング選択機能及び接地選択機能を行う少なくとも二つのストリング選択・接地選択トランジスタとを備えることを特徴とする不揮発性半導体メモリ。

IPC (6件)：

G11C 16/02 , G11C 16/04 , G11C 16/06 , H01L 27/115 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (4件)：

G11C 17/00 307 D , G11C 17/00 309 Z , H01L 27/10 434 , H01L 29/78 371

引用特許：

出願人引用 (3件)

特開平2-074069
特開平2-137199
特開平3-073497

審査官引用 (6件)

特開平2-074069
特開平2-137199
特開平3-073497

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