ポジ型フォトレジスト組成物

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小栗昌平 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-329053
公開番号（公開出願番号）：特開2001-201857
出願日： 2000年10月27日
公開日（公表日）： 2001年07月27日
要約：

【要約】【課題】レジストパターンのエッジラフネスが改善され、レジスト液の調製時に、あるいは経時保存後に不溶解物の析出を生じず、疎密依存性に優れ、経時保存後の感度変動を軽減できるポジ型フォトレジスト組成物を提供すること。【解決手段】特定のシリコン含有繰り返し単位を含有し、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂、活性光線または放射線の照射により酸を発生する化合物及び特定の混合溶剤を含有するポジ型フォトレジスト組成物。

請求項（抜粋）：

(A)下記一般式(I)で表される繰り返し単位及び、下記一般式(IIa)で表される繰り返し単位と下記一般式(IIb)で表される繰り返し単位の少なくともいずれかを含有し、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂、(B)活性光線または放射線の照射により酸を発生する化合物、及び(C)下記a群の溶剤のうち少なくとも1種と、下記b群の溶剤及び下記c群の溶剤のうち少なくとも1種を含有する混合溶剤a群:プロピレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレートb群:プロピレングリコールモノアルキルエーテル、乳酸アルキル及びアルコキシアルキルプロピオネートc群:γ-ブチロラクトン、エチレンカーボネート及びプロピレンカーボネートを含有することを特徴とするポジ型フォトレジスト組成物。一般式(I)【化1】式(I)中、R1〜R3は、それぞれ独立にアルキル基、ハロアルキル基、ハロゲン原子、アルコキシ基、トリアルキルシリル基、又はトリアルキルシリルオキシ基を表す。nは0または1を表す。一般式(IIa)【化2】式(IIa)中、Yは水素原子、メチル基、シアノ基、塩素原子から選ばれる基を表す。Lは単結合もしくは2価の連結基を表す。Qは炭素数5以上20以下の3級アルキル基、アルコキシメチル基、アルコキシエチル基、又はイソボロニル基を表す。一般式 (IIb)【化3】式(IIb)中、X1とX2は、それぞれ独立に酸素原子、イオウ原子、-NH-、-NHSO2-から選ばれる基を表す。L1とL2は、それぞれ独立に単結合もしくは2価の連結基を表す。A1は、-Q又は-COOQを表すが、X1が酸素原子で、L1が単結合を表す場合にはA1は-Qを表す。A2は水素原子、シアノ基、水酸基、-COOH、-COOR'、-CO-NH-R''、置換されていても良いアルキル基、置換されていても良い環状炭化水素基、アルコキシ基、-Q又は-COOQを表す(ここでR'、R''はそれぞれ独立に、置換基を有していても良いアルキル基を表す。)。Qは炭素数5以上20以下の3級アルキル基、アルコキシメチル基、アルコキシエチル基、又はイソボロニル基を表す。

IPC (9件)：

G03F 7/039 601 , C08F230/08 , C08K 5/06 , C08K 5/101 , C08K 5/16 , C08L 43/04 , C08L 83/04 , G03F 7/004 504 , H01L 21/027

FI (9件)：

G03F 7/039 601 , C08F230/08 , C08K 5/06 , C08K 5/101 , C08K 5/16 , C08L 43/04 , C08L 83/04 , G03F 7/004 504 , H01L 21/30 502 R

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