特許
J-GLOBAL ID：200903093080575673
半導体集積回路および半導体集積回路の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
吉田 茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-010171
公開番号（公開出願番号）：特開平11-214521
出願日： 1998年01月22日
公開日（公表日）： 1999年08月06日
要約：
【要約】【課題】 アンテナ効果対策の必要な信号線を探して見つけ、配線を変更するという工程を省くことによって半導体集積回路の製造に要する期間を短縮する。【解決手段】 セル内部のフローティングとなっているゲートに保護回路を接続しているセルを予め準備しておく(ステップST10)。このセルを含む複数のセルを用い、回路接続情報に従って自動配置配線を行う(ステップST11)。この自動配置配線によって得られるマスクレイアウトデータには、アンテナ効果対策が必要な端子全てに保護回路が付加されているレイアウトが記述される。
請求項（抜粋）：
アンテナ効果により発生する電荷を放電するための保護回路を含む複数のセルを準備する工程と、前記セルを用いて自動配置配線によりマスクレイアウトデータを作成する工程と、前記マスクレイアウトデータに基づき作成されるマスクを用いて半導体基板上に配線を形成する工程とを備え、前記複数のセルを準備する工程は、単独のセルの内部ではフローティングとなっているゲート電極に接続されている前記保護回路を有するセルを準備する工程を含むことを特徴とする半導体集積回路の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/82
, H01L 27/04
, H01L 21/822
H01L 21/82 W
, H01L 27/04 H
