特許

J-GLOBAL ID：200903093082050977

半導体ウェーハの洗浄方法及びその装置

発明者： 早田 和昭 ,  岡 安則
出願人/特許権者： 九州電子金属株式会社 ,  住友シチックス株式会社
代理人 (1件)： 森 正澄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-053586
公開番号（公開出願番号）：特開平6-029271
出願日： 1992年03月12日
公開日（公表日）： 1994年02月04日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 半導体ウェーハの洗浄において確実に重金属元素を除去し、設備負担の軽減、設備環境への影響を低減する。【構成】 半導体ウェーハをリンス処理槽2において、所定PH値のCO2溶解液により所定時間以上リンス処理を行うもので、リンス処理槽に純水を供給する純水供給路3に介装された混合槽4と、混合槽にCO2ガスを供給するガス供給路6に介装されCO2ガスの注入量を制御する制御弁8と、混合槽内のPH値を検出するPH値センサ9と、PH値センサの検出値に基づいて制御弁のCO2ガス注入量を制御する制御部10とを備えた。

請求項（抜粋）：

アルカリ溶液による洗浄後のリンス処理時に、リンス処理槽に供給される純水中にCO2ガスを溶解させ、このCO2溶解液を所定時間以上リンス処理液として用いて半導体ウェーハの洗浄を行うことを特徴とする半導体ウェーハの洗浄方法。

IPC (2件)：

H01L 21/304 341 ,  H01L 21/304

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平3-124027
  
• 特開昭61-082541
  
• 特開昭59-218731
  
• 特開昭61-160932