特許
J-GLOBAL ID：200903093083245020
薄膜の形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-016142
公開番号（公開出願番号）：特開平6-232076
出願日： 1993年02月03日
公開日（公表日）： 1994年08月19日
要約：
【要約】【構成】 原料ガスの化学反応により薄膜を形成するCVD法において、原料ガスと反応せずHeやArに比べて比熱の大きな希釈ガスを、前記原料ガスに混入する。【効果】 本発明によれば、CVD法による薄膜形成時に、成膜速度を低下させず、また気相反応が抑制されることによりパーティクルの発生量が低減される効果があり、半導体装置製造時の歩留まりの上昇を期待できる。さらに良好な選択性を得ることができる。また、通常の半導体製造装置を用いて容易に達成できるために、経済的効率(コスト)の点でも極めて優れている。
請求項（抜粋）：
原料ガスと、希釈ガスとの混合ガスを用いて、化学気相成長法(CVD法)により基板表面上に膜を形成する薄膜の形成方法において、上記希釈ガスは上記原料ガスと反応せず、かつ上記希釈ガスの比熱が37J/mol・K(25°Cにおける値)以上であることを特徴とする薄膜の形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/285
, H01L 21/205
