半導体発光素子

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：松隈秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-067477
公開番号（公開出願番号）：特開平5-275809
出願日： 1992年03月25日
公開日（公表日）： 1993年10月22日
要約：

【要約】【目的】長寿命化をはかる。【構成】活性層3からドーパントを有するクラッド層21,22を離間して設け、このクラッド層と活性層との間にこのクラッド層に対する少数キャリアの進入を制御する多量量子井戸もしくは多量量子障壁構造部11,12を設ける。

請求項（抜粋）：

少なくとも活性層と、該活性層を挟んでp型クラッド層とn型クラッド層とを有してなる半導体発光素子において、上記活性層から離れてp型ドーパントがドープされた上記p型クラッド層が配置され、上記活性層と上記p型ドーパントがドープされたp型クラッド層側との間に電子に対し透過率の低い多重量子井戸もしくは多重量子障壁構造部が設けられてなることを特徴とする半導体発光素子。

IPC (2件)：

H01S 3/18 , H01L 33/00

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭64-007587
特開平4-218994
量子バリア半導体光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-320977 出願人：古河電気工業株式会社

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