特許

J-GLOBAL ID：200903093096047634

シリカ系被膜形成用塗布液、シリカ系被膜の製造法、シリカ系被膜、これを用いた半導体素子及び多層配線板

発明者： 桜井 治彰 ,  成田 武憲 ,  野部 茂 ,  榎本 和宏 ,  寺田 信子
出願人/特許権者： 日立化成工業株式会社
代理人 (1件)： 若林 邦彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-096767
公開番号（公開出願番号）：特開2001-279163
出願日： 2000年03月31日
公開日（公表日）： 2001年10月10日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 隣接する膜と十分な密着性を有し、Cuダマシン工程におけるCMP工程)において剥離が起こらない低誘電率のシリカ系被膜を容易に歩留まりよく形成できるシリカ系被膜形成用塗布液、該塗布液を用いたシリカ系被膜の製造法、および信号遅延がない高品位で高信頼性の半導体素子及び信号遅延がない高品位で高信頼性の多層配線板を提供する。【解決手段】 (A)有機基含有量が1〜50%であり、そのなかで不飽和結合を有する有機基含有量が1〜50%であるポリシロキサン(B)溶媒を含んでなるシリカ系被膜形成用塗布液、このシリカ系被膜形成用塗布液を基板上に塗布、乾燥することを特徴とするシリカ系被膜の製造法、この製造法により得られたシリカ系被膜このシリカ系被膜を有する半導体素子並びにこのシリカ系被膜を層間絶縁膜とした多層配線板。

請求項（抜粋）：

(A)有機基含有量が1〜50%であり、そのなかで不飽和結合を有する有機基含有量が1〜50%であるポリシロキサン及び(B)溶媒を含んでなるシリカ系被膜形成用塗布液。

IPC (5件)：

C09D155/00 ,  C01B 33/12 ,  C09D183/07 ,  C09D201/00 ,  H01L 21/768

FI (6件)：

C09D155/00 ,  C01B 33/12 C ,  C09D183/07 ,  C09D201/00 ,  H01L 21/90 S ,  H01L 21/90 Q

Fターム (50件)：

4G072AA25 ,  4G072BB09 ,  4G072FF09 ,  4G072HH30 ,  4G072JJ16 ,  4G072LL13 ,  4G072LL15 ,  4G072MM37 ,  4G072NN21 ,  4G072RR05 ,  4G072SS01 ,  4G072UU01 ,  4J038CD101 ,  4J038CD102 ,  4J038CF021 ,  4J038CF022 ,  4J038CG141 ,  4J038CG142 ,  4J038DL061 ,  4J038DL062 ,  4J038FA241 ,  4J038FA242 ,  4J038GA02 ,  4J038GA15 ,  4J038JA18 ,  4J038JA26 ,  4J038JA54 ,  4J038JA57 ,  4J038JA69 ,  4J038JA70 ,  4J038JB12 ,  4J038JB27 ,  4J038KA06 ,  4J038LA03 ,  4J038MA07 ,  4J038MA10 ,  4J038NA21 ,  4J038PA19 ,  4J038PB09 ,  4J038PC08 ,  5F033HH11 ,  5F033MM01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR25 ,  5F033SS22 ,  5F033VV00 ,  5F033VV16 ,  5F033XX14 ,  5F033XX24 ,  5F033XX27