特許
J-GLOBAL ID：200903093103337473
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-260927
公開番号（公開出願番号）：特開平5-102268
出願日： 1991年10月09日
公開日（公表日）： 1993年04月23日
要約：
【要約】【目的】 半導体基板上の薄膜のエッチングが完全にされたか否かの検査方法に関し,微細パターンについて容易,確実に検査すること目的とする。【構成】 半導体基板1の吸収端波長よりも長波長の被エッチング層2で一部が吸収される波長の入射光4を,エッチング工程を経た半導体基板1表面に入射して透過光5強度を測定する工程と,測定された透過光5強度を,エッチング工程が完了した半導体基板1において測定されるべき透過光5強度として予め設定されている値と比較して,両強度が実質的に一致したか否かをもって被エッチング層2のエッチングが完了したか否かを判定する検査工程とを有することを特徴とし,及び,上記測定を,半導体チップ9の一部に設けられたモニター領域で行うことを特徴とし,及び,入射光は,半導体基板1の吸収端波長より長波長で,かつ被エッチング層2の吸収バンド内の波長であることを特徴として構成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板(1)上に設けられた被エッチング層(2)を選択的にエッチングする工程を有する半導体装置の製造方法において,該半導体基板(1)の吸収端波長よりも長波長であって,かつ該被エッチング層(2)で一部が吸収される波長を有する入射光(4)を,該選択的にエッチングする工程を経た該半導体基板(1)の表面又は裏面の何れかに入射して透過光(5)強度を測定する工程と,測定された該透過光(5)強度を,該選択的にエッチングする工程が完了したときの該半導体基板(1)において測定されるべき該透過光(5)強度として予め設定されている値と比較して,両強度が実質的に一致したか否かをもって該被エッチング層(2)のエッチングが完了したか否かを判定する検査工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
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