半導体装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-213624
公開番号（公開出願番号）：特開平11-054630
出願日： 1997年08月07日
公開日（公表日）： 1999年02月26日
要約：

【要約】【課題】高電圧駆動回路側のゲート酸化膜の膜厚が低電圧駆動回路側のゲート酸化膜の膜厚と同程度であっても、酸化膜の耐圧を確保することができる半導体装置、および工程数の増加によるコスト上昇や歩留りの低下を招くことなく、多電圧対応の集積回路を形成する半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】低電圧で駆動する第1の絶縁ゲート型電界効果トランジスタおよび高電圧で駆動する第2の絶縁ゲート型電界効果トランジスタを有する半導体装置において、第1の絶縁ゲート型電界効果トランジスタのゲート電極に対し、チャネルと同じ導電型で拡散定数が異なる複数の不純物が導入され、第2の絶縁ゲート電界効果トランジスタのゲート電極に対し、前記複数の不純物のうち、拡散定数の小さい不純物が導入されている半導体装置、および該半導体装置の製造方法。

請求項（抜粋）：

低電圧で駆動する第1の絶縁ゲート型電界効果トランジスタおよび高電圧で駆動する第2の絶縁ゲート型電界効果トランジスタを有する半導体装置において、第1の絶縁ゲート型電界効果トランジスタのゲート電極に対し、チャネルと同じ導電型で拡散定数が異なる複数の不純物が導入され、第2の絶縁ゲート電界効果トランジスタのゲート電極に対し、前記複数の不純物のうち、拡散定数または固溶度の小さい不純物が導入されている半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/8238 , H01L 27/092 , H01L 21/265 , H01L 29/78

FI (4件)：

H01L 27/08 321 D , H01L 21/265 W , H01L 29/78 301 G , H01L 29/78 301 H

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