特許
J-GLOBAL ID：200903093109178440
ガリウム砒素半導体素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
谷 義一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-046966
公開番号（公開出願番号）：特開平5-211171
出願日： 1991年03月12日
公開日（公表日）： 1993年08月20日
要約：
【要約】【目的】 高融点ゲートを形成する工程とドライエッチングを行う工程において、イオン損傷がないようにする。【構成】 GaAsの基板(11)にn型不純物注入層(11a)を形成し、オーバーハング(13a)を有するホトレジスト膜(13)を形成し、第1高融点材料(14a)と第2金属材料(15a)を順次に蒸着してリフトオフ法で第1高融点ゲート(14)と第2金属ゲート(15)を有する2層構造のゲートを規定し、ソースとドレーン領域(11b)を形成し、前記ソースとドレーン領域(11b)上にオーミックコンタクト(17)を形成する。
請求項（抜粋）：
GaAs基板(11)にn型不純物注入層(11a)を形成するステップと、オーバーハング(13a)を有するホトレジスト膜(13)を形成するステップと、第1高融点材料(14a)と第2金属材料(15a)を順次に蒸着した後、リフトオフ法で第1高融点ゲート(14)と第2金属ゲート(15)を有する2層ゲートを規定するステップと、ソースとドレーン領域(11b)を形成するステップと、前記ソースとドレーン領域(11b)上にオーミックコンタクト(17)を形成するステップとを備えたことを特徴とするガリウム砒素半導体素子の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/338
, H01L 29/812
H01L 29/80 F
, H01L 29/80 M
