特許

J-GLOBAL ID：200903093110612315

窒化物半導体発光素子およびそれを用いた光学装置

発明者： 高倉 輝芳 ,  津田 有三
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-063421
公開番号（公開出願番号）：特開2002-270969
出願日： 2001年03月07日
公開日（公表日）： 2002年09月20日
要約：

【要約】【課題】 InGaN系井戸層にAs、PまたはSbを含有させることによって生じる結晶系分離および相分離を抑制し、結晶性および発光効率の向上した窒化物半導体発光素子を提供する。【解決手段】 複数の井戸層と1つまたは複数の障壁層とが組み合わされた発光層107を有する窒化物半導体発光素子が提供され、該素子において、井戸層は、式InAlGaN1-x-y-zAsxPySbz(式中、0≦x≦0.1、0≦y≦0.2、0≦z≦0.05、x+y+z>0)で表される窒化物からなる。InGaN系井戸層に添加されるAs、PまたはSbの組成比を所定の範囲内とし、さらにAlを添加することにより、結晶系分離および相分離が抑制できる。

請求項（抜粋）：

複数の井戸層と1つまたは複数の障壁層とが組み合わされた発光層を有する窒化物半導体発光素子であって、前記井戸層が、式InAlGaN1-x-y-zAsxPySbz(式中、0≦x≦0.1、0≦y≦0.2、0≦z≦0.05、x+y+z>0)で表される窒化物からなることを特徴とする、窒化物半導体発光素子。

IPC (3件)：

H01S 5/343 610 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00

FI (3件)：

H01S 5/343 610 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C

Fターム (41件)：

5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA53 ,  5F041CA54 ,  5F041CA56 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA82 ,  5F041CA83 ,  5F041CA88 ,  5F041CA92 ,  5F041FF11 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC12 ,  5F045AF09 ,  5F045AF13 ,  5F045BB04 ,  5F045BB16 ,  5F045CA11 ,  5F045DA53 ,  5F045DA55 ,  5F073AA13 ,  5F073AA74 ,  5F073AA83 ,  5F073BA06 ,  5F073BA07 ,  5F073BA09 ,  5F073CA20 ,  5F073CB02 ,  5F073CB05 ,  5F073CB17 ,  5F073CB19 ,  5F073CB22 ,  5F073DA05 ,  5F073DA24 ,  5F073DA32 ,  5F073EA23