特許

J-GLOBAL ID：200903093116592669

導電性膜の選択成長法及びプリント配線基板

発明者： 関口 敦 ,  小出 知昭 ,  國信 隆史
出願人/特許権者： アネルバ株式会社
代理人 (1件)： 中西 次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-276150
公開番号（公開出願番号）：特開2004-107785
出願日： 2002年09月20日
公開日（公表日）： 2004年04月08日
要約：

【課題】本発明は、微細なパターンの導電性膜を選択的に成長させることが可能で、しかも貫通口内部への膜成長や段差表面の平坦化が可能な選択成長法を提供することを目的とする。【解決手段】少なくとも表面がシリコーンからなる基板の該シリコーンの層に部分的に紫外線を照射する工程と、該紫外線照射後にCVD法により導電性膜を形成する工程と、からなり、紫外線の照射の有無により基板上への導電性膜の成長を制御することを特徴とする。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

少なくとも表面がシリコーンからなる基板の該シリコーンの層に部分的に紫外線を照射する工程と、該紫外線照射後にCVD法により導電性膜を形成する工程と、からなり、紫外線の照射の有無により基板上への導電性膜の成長を制御することを特徴とする導電性膜の選択成長法。

IPC (3件)：

C23C16/04 ,  C23C16/02 ,  H05K3/14

FI (3件)：

C23C16/04 ,  C23C16/02 ,  H05K3/14 A

Fターム (18件)：

4K030AA11 ,  4K030AA16 ,  4K030BA01 ,  4K030CA07 ,  4K030DA02 ,  4K030FA10 ,  4K030LA11 ,  5E343AA02 ,  5E343AA12 ,  5E343AA33 ,  5E343AA37 ,  5E343AA39 ,  5E343BB24 ,  5E343BB71 ,  5E343DD26 ,  5E343EE32 ,  5E343EE40 ,  5E343GG08